Wetting Layer

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• Wetting layer — In experimental physics, a wetting layer is a initial layer of atoms that is epitaxially grown on a surface upon which self assembled quantum dots or thin films are created. The atoms composing a wetting layer can be semimetallic… …   Wikipedia

• Wetting — is the contact between a liquid and a solid surface, resulting from intermolecular interactions when the two are brought together. The amount of wetting depends on the energies (or surface tensions) of the interfaces involved such that the total… …   Wikipedia

• Stranski-Krastanov growth — (SK growth, also Stransky Krastanov or Stranski Krastanow) is one of the three primary modes by which thin films grow epitaxially at a crystal surface or interface. Also known as layer plus island growth , the SK mode follows a two step process:… …   Wikipedia

• Molecular-beam epitaxy — (MBE), is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho.MethodMolecular beam epitaxy takes place in high vacuum or ultra high vacuum (10−8… …   Wikipedia

• Quantum dot — Part of a series of articles on Nanomaterials Fullerenes …   Wikipedia

• Molecular beam epitaxy — A simple sketch showing the main components and rough layout and concept of the main chamber in a Molecular Beam Epitaxy system Molecular beam epitaxy (MBE) is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late… …   Wikipedia

• WL — may refer to:* Wanderlust (software), a communications package for Emacs that handles email and news. *Wavelength *Weakest Link, a television program *Weapons lab * Wehrmacht Luftwaffe (German WW2 air force vehicle licence plate code) *Wetland… …   Wikipedia

• Frank-van-der-Merve-Wachstum — Unter Schichtwachstum versteht man in der Oberflächenchemie das Wachstum von Monolagen auf eine Phasengrenze. Schichtwachstumsarten Man unterscheidet drei einfache Grenzmechanismen: Frank van der Merwe Modus Frank van der Merve Wachstum Das Frank …   Deutsch Wikipedia

• MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

• MOVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

• Metallorganische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia